Самсунг готовит выпуск сверхбыстрой памяти HBM2E

В марте прошедшего года Самсунг анонсировала новейший тип памяти — HBM2E третьего поколения под заглавием Flashbolt. Сейчас же производитель сказал о скором начале выпуска. Память предназначается для суперкомпьютеров, систем машинного обучения и искусственного ума, также графических адаптеров. Создание стартует в первом полугодии. 

Из особенностей Flashbolt отметим повышение объёма памяти в расчёте на стек. Сейчас на подложке собраны восемь чипов DRAM плотностью по 16 Гбит. Другими словами объём составляет 16 ГБ.

Скорость передачи данных на контакт составляет 4,2 Гбит/сек, пропускная способность всего стека — 538 ГБ/сек. Для сопоставления, у второго поколения Aquabolt показатель был в 1,75 раза меньше.

К слову, характеристики памяти превосходят ранее установленные требования JEDEC. Там говорилось о скорости в 3,2 Гбит/сек на контакт и пропускной возможности в 410 ГБ/сек. Принципиально отметить, что конкретно маркировки HBM2E нет в документах JEDEC. Так в Самсунг именуют память HBM2 и её модификации.

Также отметим, что такие модули превосходят GDDR6, но, разумеется, будут дороже, хотя пока что не сообщается, когда выйдут готовые решения с таковой памятью. Не исключено, что HBM2E третьего поколения покажется в новейших картах AMD Big Navi.

Стоит ли дальше выкладывать подобные новости?

Loading spinner

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *