SK Hynix начнёт создание памяти DDR5 в этом году

Южнокорейский производитель SK Hynix также готовится к началу массового производства чипов оперативки DDR5. Старт запланирован в этом году, хотя пока не уточняется, когда конкретно готовые модули выйдут на рынок.

Заявлено, что DDR5 может предложить наиболее чем вдвое наиболее высшую пропускную способность по сопоставлению с DDR4, что принципиально для систем ИИ и технологий машинного обучения. При всем этом заявлено, что новенькая память станет наиболее ёмкой и неопасной, чем DDR4.

Как отмечается, малая частота для DDR5 по спецификации составит 3200 МГц, но производитель планирует начать с 4800 МГц и довести её до 8400 МГц. А малая плотность 1-го кристалла DDR5 составляет 8 Гбит. Максимум же — 64 Гбит, что вчетверо превосходит аналогичный показатель DDR4.

Также заявлено понижение рабочего напряжения. Если «четвёрка» употребляла 1,2 В, то «пятёрка» будет работать на 1,1 В. Это сделает новейшую память наиболее экономной и прохладной при иных усовершенствованных свойствах. В итоге потребляемая мощность упадёт на 20%.

Очевидно, должны ещё показаться микропроцессоры и материнские платы с поддержкой таковой памяти, потому ожидать настоящего выхода новейшей памяти на рынок стоит не ранее 2021 года.

  Больше на Игромании

Gigabyte обновила железо у ноутбуков AERO и AORUS
Возник трейлер к выходу ремейка Resident Evil 3
Outer Wilds, Disco Elysium и остальные лауреаты премии BAFTA Games Awards 2020

Стоит ли дальше выкладывать подобные новости?

Loading spinner

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *